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内存又称为内存储器，它里面存储的是操作系统和应用软件信息，通常也泛称为主存储器，是计算机中的主要部件，它里面存储的是操作系统和应用软件信息。它是相对于外存而言的。内存储器包括寄存器、高速缓冲存储器（Cache）和主存储器。寄存器在CPU芯片的内部，高速缓冲存储器目前也制作在CPU芯片内，而主存储器由插在主板内存插槽中的若干内存条组成。内存的质量好坏与容量大小会影响计算机的运行速度。相变存储器如何布局？颖展电子元器件为大家解析三星/美光/ST/IBM这些大咖们是怎么做的吧！

存储器广泛应用于计算机、消费电子、网络存储、物联网、国家安全等重要领域，是一种重要的、基础性的产品。2015年国内集成电路市场超过 10000 亿，其中存储器的市场总额(包括逻辑ic芯片中的存储器)超过 6100 亿元，市场空间巨大。

存储器领域的基本类型

存储器芯片（又称内存ic）领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，电脑中的内存条。非易失性：断电以后，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存(Nand FLASH 和 NOR FLASH)，NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。在整个存储器芯片里面，主要有的三种产品是：DRAM、NOR FLASH 和 Nand FLASH。

DRAM市场上主要由三星、海力士和美光三大巨头垄断，占比达到 90%以上。从 Nand FLASH 市场来讲，2016 年第一季度，三星占了 35.1%，所占市场份额很大，颖展电子元器件在佛山虽然独树一帜，但是面对这些大牌们，还有很大的进展空间。而整个存储器芯片里面，三星所占市场份额是最大的，目前在市场上主导地位的是闪存(flash memory)。当工艺线宽小于 16nm 的时候，传统闪存面临着一定的物理极限。

内存ic主要的问题：

1、可靠性问题。工艺线宽尺寸小于 16nm 时，厚度逐渐下降，可靠性存在问题，可靠性限制了存储器单层的厚度。

2、当然那还有构造问题。

3、擦写速度慢。

4、有效的擦写次数。

三星

2008年基于90nm工艺制备512Mb相变存储器芯片; 2011年基58nm工艺制备1Gb相变存储器芯片;2012 年基于 20nm 工艺制备 8Gb 相变存储器芯片;2014 年发布相变存储器的产业报告。

三星在相变存储器领域的布局

美光

2009 年基于 45nm 工艺制备1Gb 相变存储器芯片; 2011 年发布第一款基于相变存储器的 SSD;2013 年基于 45nm 工艺 1Gb 相变存储器芯片实现量产;2015 年联合 Intel发布 3D Xpoint。

美光在相变存储器领域的布局

意法半导体

2009 年联合恒亿共同发布 90nm 工艺 4Mb 嵌入式相变存储器芯片;2010 年，发布了通过材料改性工程 N-GeTe 实现更好的热稳定性及数据保持;2013 年，发布了通过材料改性工程 N-Ge-GST实现 SET与高低组保持的性能平衡。

意法半导体在相变存储器领域的布局

IBM

2011 年 IBM发布了多值的相变存储器操作算法，然后推出了基于 MIEC 材料选通的多层crosspoint存储器。 2014年IBM发布了6位多值存储电阻漂移的算法解决办法， 2016年发布多值相变存储器，进入 90nm 工艺。

IBM在相变存储器领域的布局

国际其他产家，包括英特尔、台积电等都有在其中做过相关工作。

国际其他厂商在相变存储器领域的布局

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