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半导体二极管伏安特性是在外加电压的作用下，二极管电流变化规律的曲线，有正向特性和反向特性两部分。

当二极管加正向电压时，有一个死区电压，或称开启电压U，其大小与材料及环境温度有关。一般来说，硅管的死区电压约为0.5V,锗管的死区电压约为0.1V。

当二极管正向电压超过死区电压后，正向电流变化很大，而电压的变化极小，曲线几乎接近于直线。为了计算的方便，通常认为，锗管的导通电压为0.6-0.7V,锗管的导通电压为0.2-0.3V。        当二极管接反向电压时，反向电流很小，且与反向电压无关，称为反向包和电流I。小功率硅管的反向饱和电流I小于0.1uA，锗管约为几十微安。由于半导体具有热敏特性，反向饱和电流将随温度的升高而增大。

当反向电压超过一定限度时，反向电流将急剧增加，二极管失去单向导电性，这种现象叫做反向击穿，此时的反向电压称为反向击穿电压U。PN结击穿后结电流急剧变化，而PN结两端的电压却基本保持不变，利用这一特性可以做成稳压管。需要指出的是，击穿并不意味着PN结的损坏，只要击穿后流过PN结的电流不超过某一限度（可在PN结外电路接限流电阻来达到限制电流的目的），PN结可保持完整无损且允许击穿现象重复发生。

大功率肖特基二极管应用注意事项：

1.应用电路的实际工作电流应小于肖特基二极管的正向额定电流If，一般不大于额定If的60%。

2.应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的最高反向击穿电压Vrrm，一般不大于额定电压Vrrm的80%。

3.肖特基二极管应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的最高结温Tjmax。

4．对于比较苛刻的环境，为了保证可靠性，肖特基二极管应降额使用，特别要考虑正向额定电流的选取。

5．对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。

6.肖特基二极管的代换尽量选用原型号、因为不同的型号的肖特基正向压降Vf和反向击穿电压 Vr、反向漏电流Ir都不同。

颖展电子今天给大家推荐二极管m7这款型号，因为众多用户反馈其特性和寿命都比较好二极管m7参数如下：

型号/规格：M7 1000V 1.0A

封装形式：DO-214AC

环保类别：无铅环保型

安装方式：贴片式

包装方式：卷带编带包装

功率特性：超大功率

频率特性：超高频

最大整流电流：30A

最大反向击穿电流：5.0

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